低 RDS 效率緊湊型驅動 DFN5x6 封裝
介紹MCC先進的P溝道MOSFET系列的最新產品- MCAC017P08Y。這款80V組件採用SGT技術設計，在緊湊的DFN5060封裝中提供最大的效率。
該MOSFET的導通電阻僅為17mΩ，柵極電荷為17nC，導通損耗低，可確保以最小功耗實現快速開關所需的性能和可靠性。
MCAC017P08Y非常適合高開關應用，包括電機驅動器，DC-DC轉換器和功率驅動模塊，在空間受限的環境中實現創新，同時提高系統性能。
特性 & 優勢:
1.SGT 技術：提高效率的同時減少功率損耗；
2.低導通電阻：17mΩ的RDS（on）降低了開關損耗，提高了效率；
3.低傳導損耗：最大限度地減少熱量產生的最佳性能；
4.低柵極電荷：17nC柵極電荷促進更快的開關；
5.低開關損耗：實現高頻應用的快速開關；
6.高功率密度：DFN5x6封裝節省空間，不降低性能
7.優異的熱性能：防止過熱，便於安全操作。
