采用紧凑型 DFN3333-8 (SWF) 封装的低导通损耗

要求苛刻的应用已在 MCC 的新型 100V N 沟道 MOSFET 中得到满足。MCGWF011N10YLHE3 专为高性能而设计,通过 AEC-Q101 认证,可确保关键汽车系统的安全性和可靠性。
该组件可轻松管理热量和功率损耗,凭借令人印象深刻的 11mΩ 导通电阻和先进的热管理提供高效的性能。
在高达 175°C 的工作结温下确保始终如一的性能,非常适合电池管理系统、电机驱动器、电源和照明控制。
低栅极电荷可确保快速开关,从而进一步提高功率转换过程中的效率。采用 DFN3333-8(SWF) 封装的薄型 MCGWF011N10YLHE3 节省空间,同时满足现代电子产品对效率和性能的需求。
特点和优点:
1.符合 AEC-Q101 标准:确保符合严格的汽车行业安全性和可靠性标准。
2.低导通电阻:以 11mΩ 的导通电阻减少运行过程中的能量损失。
3.低导通损耗:最大限度地减少能源浪费,提高整体系统效率。
4.高工作结温:在高达 175°C 的工作结温下提供稳健的性能。
5.低栅极电荷 (QG):提高低负载和高负载下的系统效率,优化各种应用的性能。
6.薄型 DFN3333-8(SWF) 封装:为空间有限的设计提供紧凑的解决方案。
7.侧面可湿性侧面:通过启用可靠的自动光学检测 (AOI) 功能来提高质量。