低 RDS 效率紧凑型驱动 DFN5x6 封装
介绍MCC先进的P沟道MOSFET系列的最新产品- MCAC017P08Y。这款80V组件采用SGT技术设计，在紧凑的DFN5060封装中提供最大的效率。
该MOSFET的导通电阻仅为17mΩ，栅极电荷为17nC，导通损耗低，可确保以最小功耗实现快速开关所需的性能和可靠性。
MCAC017P08Y非常适合高开关应用，包括电机驱动器，DC-DC转换器和功率驱动模块，在空间受限的环境中实现创新，同时提高系统性能。
特性 & 优势:
1.SGT 技术：提高效率的同时减少功率损耗；
2.低导通电阻：17mΩ的RDS（on）降低了开关损耗，提高了效率；
3.低传导损耗：最大限度地减少热量产生的最佳性能；
4.低栅极电荷：17nC栅极电荷促进更快的开关；；
5.低开关损耗：实现高频应用的快速开关；
6.高功率密度：DFN5x6封装节省空间，不降低性能
7.优异的热性能：防止过热，便于安全操作。
